太阳能光伏发电 系统无运动部件，运行可靠，少维护，寿命长，而且电能易利用、易输送、易储存，光伏发电是太阳能 利用中最具活力的领域，它引起世界各国的关注，成为各发达国家研究开发的热点。澳大利亚新南威尔 士大学已研制出效率达20％的太阳电池组件，美国、日本、德国和英国等都建立了该电池的中试生产线 ，其电池效率达到17—18％，生产规模正在迅速扩大。
我国现有太阳电池研制和生产水平与国 际先 进水平相比还有很大的差距，寻求新技术、新材料、新工艺，以提高太阳电池转换效率，大幅度降 低生 产成本，是我国太阳能光伏界面临的紧迫任务。
北京市太阳能研究所在研究和开发多晶硅 薄膜太阳 电池的同时，积极进行高效晶体硅太阳电池的研究和开发，探索影响电池转换效率的因素和相 关的工艺 ，将成熟技术转换到太阳电池的生产中，以达到生产高效率低成本太阳电池的目的。自1992年 开展高效 电池研究以来，我们已取得可喜的进展，平面高效单晶硅电池（2cm×2cm）转换效率达到19.79 ％，刻槽 埋栅电极晶体硅电池（5cm×5cm）转移效率达18.6％，多晶硅电池（1cm×1cm）转换效率达 14.53％。
一、平面单晶硅高效电池
为了达到高效的目的，在电池制作中采用表面织构化、 发射区钝化、 分区掺杂等技术。电池结构如图1所示。

图1 平面单晶硅高效电池结构示意图
电池表面织构化采用光刻腐 蚀工艺，制成倒金字塔结 构，表面开口尺寸为10μm×10μm，发射区钝化采用含氯氧化。分区掺杂采用 两次氧化，经光刻后分别 形成轻、重掺杂区，再控制掺杂工艺条件实现。电池的金属化采用热蒸发Ti、 Pd、Ag，上电极采用光刻 腐蚀，剥离形成栅状电极后再脉冲镀银。
经过工艺的优化和改进，我们研 制的电池（2cm×2cm ），其性能达到Isc＝151．1mA，Voc＝656．1mV，F．F＝0．8062，η＝19．79％。 电池的I-V曲线如图2 所示。

图2 平面单晶 硅高效电池I-V曲线
二、刻槽埋栅电极单 晶硅电池

图3 刻槽埋栅电极电池结构示意图
刻槽埋栅电极单晶硅太阳 电池 因其埋栅电极的独特结构，使电极阴影面积由常规电池的10—15％下降至2—4％，短路电流可上升 12％ ，同时槽内采用重扩散，使金属-硅界面的面积增大，接触电阻降低，从而使填充因子提高10％。在 电池 制作中，既保留了高效电池的特点，又省去了高效单晶电池制作中光刻等工艺，使得刻槽埋栅电极 电池 在保持高转换效率和适合大规模生产方面，成为连接实验室高效单晶硅太阳电池和常规电池生产之 间的 纽带。
刻槽埋栅电池的结构如图3所示。该电池表面织构化采用化学腐蚀方法，利用晶体硅 的各向 异性，将表面腐蚀成大小不同、排列不规则的四面方锥体。分区掺杂采用机械或激光刻槽后进行 重扩散 的方式实现。电池的金属化通过化学镀镍、镀铜后浸银完成。经过工艺优化和改进，我们用区熔 （FZ） 单晶硅制作的电池（5cm×5cm），经美国可再生能源实验室（NREL）测定，Jsc＝34 ．84mA燉cm2，Voc＝ 663．8mV，F．F＝0．8058，η＝18.6％，该电池的I－V曲 线如图4所示。用直拉单晶（CZ）制作的电池 ，效率达17.22％；批量投产后，η≥15％的样片占16.7％ ，η≥16％的样片占58.3％，η≥17％的样片 占25％，表明样品电池的效率分布比较集中，有利于实现 产业化。
三、多晶硅电池

图4 刻槽埋栅 电极电池I—V曲线
在多晶硅电池的研制 中，采用了单晶硅电池工艺中的表 面钝化、背场等工艺，同时又根据多晶硅的特点，增加了用酸性腐蚀 液去除表面损伤层、浓磷扩散吸杂 等工艺，此外为了避免高温过程激活多晶硅晶粒间界处的缺陷，钝化 时采用低温含氯氧化形成SiO2。电 池结构如图5所示。

图5 多晶硅电池结构示 意

图6 多晶硅谷 电池I—V曲线
在经过工艺优化后，多晶 硅电池（1cm×1cm）的性能达到： Isc＝34．23mA，Voc＝595.7mV，F.F＝0．7129，η＝14．53％。电池 的I-V曲 线如图6所示。
高效晶体硅电池研究工作的成果不仅表现在电池转换效率的逐步提高上，更 重要 的是使我们对提高电池效率的各种物理机制和因素有了更深入的认识。同时实验室研究工作和太阳 电池 中试生产线的工作相结合，既有助于分析和解决中试生产中出现的问题，又可促进实验室研究工作 的提 高，为今后的发展打好基础。